利用MirrorBit Quad技术提高闪存存储容量

闪存单元中的导电多晶硅栅中通过隔离氧化物可能的电荷泄漏相比，对电荷泄漏的敏感性低很多。在隔离氧化物中任何地方出现的瑕疵都会导致电荷泄漏。随着每单元的位数量的增加，在相邻状态之间存储的电子数量的差异降低，加剧了电荷泄漏的问题。

其次，在MirrorBit存储单元中具有两个电荷存储位置，能实现在每个位置上四种不同的电荷状态，获得每个单元4个存储位。而相比于传统的MLC浮栅闪存单元，每个单元4个数据位需要在一个位置上有16(24)个不同的电荷状态。存储和检测16个不同的电荷存储状态的挑战性非常大，需要强大的ECC解决方案。

图1：MirrorBit Quad在单个存储单元中能提供四位的存储性能。

与浮栅NAND和NOR架构相比，MirrorBit Quad架构设计用于非常密集的版图。由于每个单元增加了存储容量，在相同的工艺技术节点下，MirrorBit Quad技术能实现比浮栅多级单元NAND闪存技术单位位的有效单元尺寸小30%。

除了与浮栅技术相比所固有的效率，MirrorBit Quad技术还能比浮栅技术更适应更小的工艺节点，对于后者来说，在40纳米以下将面临极大的挑战。

与MirrorBit技术一样，MirrorBit Quad技术能在同一块硅片上有效地集成逻辑电路。这就允许产生复杂的集成控制器、处理器和系统级接口，实现更多的创新产品。这还能给客户带来专用标准产品(ASSP)，这比单纯的存储器子系统多得多，因而能降低采用MirrorBit器件的终端系统的成本、尺寸和复杂性。

对于使用MirrorBit技术更别具诱惑力的是，它可能在未来实现每个单元更高的位数。通过扩展该技术来支持6个电荷状态或每个电荷位置的电平，一个单元可能存储5位的信息，或者是大多数先进MLC浮栅技术所能存储信息的两倍，对于后者来说，这需要32个电荷状态才能获得每个单元相近的存储容量。

Spansion认为MirrorBit Quad是海量数据存储的下一代技术，并计划实现带很多种不同接口和功能的解决方案。这些解决方案将能扩展集成的闪存存储器市场上器件的存储容量，可能使得全新的产品类别得以实现。

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