利用MirrorBit Quad技术提高闪存存储容量

半导体行业的领导企业已经承认氮化物存储的潜力，因为他们正面临以更低的成本和更高的性能生产更高容量存储产品的挑战。Spansion公司在每单元两位的技术上获得成功，加之浮栅技术在满足更小工艺节点上可以预见到的问题，已经激起业界对氮化物存储技术的兴趣和研究。Spansion已经开始生产业界首款可商用的每单元4位的技术- Spansion MirrorBit Quad。MirrorBit Quad在一种非导电的氮化物存储介质上存储两种不同数量的电荷，与浮栅技术相比，具有成本、可靠性和制造上的根本优势。

MirrorBit单元与浮栅单元具有很大的不同，因为它通过在存储单元的两个相反的面上存储两个物理上不同的电荷使存储容量倍增。标准的浮栅单元使用具有导电性的多晶硅浮栅来保存电荷，MirrorBit单元采用了一种非导电氮化物存储介质来避免不同的电荷流动到一起，在整个存储介质中进行均衡。因此MirrorBit技术消除了使用浮栅的问题，这改善了可靠性，减少了工艺步骤。通过在单元内开发均衡的、可互换的源和漏极区，产生了两个物理上不同的非交互的电荷存储区，每个区代表一个信息位，直接映射到存储器阵列，每个单元包含两个信息位。

MirrorBit技术的简单工艺技术与浮栅相比的另外一个差别是逻辑有效的集成，通过将很高的闪存密度与很高的逻辑容量集成有效地解决了长期困扰业界的一个挑战。由于能集成大量的逻辑降低了成本，否则采用其他的解决方案将需要采用分立的逻辑硅片。

MirrorBit Quad通过不断地在两个电荷位置的每个上存储电荷，同时增加在每个位置上存储不同量或电荷状态的能力，使MirrorBit的存储密度倍增。通过在每个位置上存储四种不同的电荷量，现在一个单元可以存储4x4或16种不同的电荷组合，等效于实现每个单元4位信息存储。

所有的MLC闪存架构必须解决不同电荷状态的问题，这增加了准确地注入和检测在存储介质中减少的电子数量的难度。然而，与传统的MLC闪存相比，MirrorBit Quad具有两个明显的优势。

首先， MirrorBit Quad单元中的电荷与最初的MirrorBit单元一样，存在于非导电的氮化物介质中。这使得在MirrorBit单元中存储电荷与通常的

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