绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)自1985年进入实际应用以来,IGBT器件技术得到了快速发展
绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT),也称绝缘门极晶体管。由于IGBT内具有寄生晶闸管,所以也可称作绝缘门极晶闸管,它是上世纪80年代中期发展起来的一种新型复合器件。
纯电动汽车和混合动力汽车是新能源汽车产业发展的重要方向,同时,泛亚“电动化、智能化、网联化、数字化”战略的提出,使得未来车载汽车电子电气架构系统的开发越来越复杂。
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